Il n’y a pas longtemps que Samsung a achevé la construction de son usine de semi-conducteurs P2 à Pyeongtaek, mais maintenant, la société se prépare à construire sa troisième usine de semi-conducteurs « P3 » dans la même ville de la province de Gyeonggi. Selon les rapports des médias locaux, Samsung souhaite commencer la construction de l’usine P3 en septembre et la rendre pleinement opérationnelle d’ici la fin de 2021.
L’usine P3 serait 300 mètres plus longue que l’usine P2 existante, avec une longueur totale de 700 mètres. La construction du bâtiment en lui-même devrait prendre environ un an, et il faudra quelques mois supplémentaires pour installer l’équipement nécessaire et le préparer pour la production de masse.
Compte tenu de la taille de l’usine P3 par rapport à l’usine P2, les observateurs de l’industrie spéculent que Samsung pourrait vouloir transformer l’installation P3 en une « usine de semi-conducteurs totale » capable de produire des puces flash DRAM et NAND ainsi que des semi-conducteurs de système, y compris des processeurs d’application et des capteurs d’images.
L’usine P3 serait également l’endroit où les futurs processus de fabrication feront leurs débuts avant d’être adoptés par les autres installations de fabrication de Samsung.
Samsung est le plus grand fabricant de mémoires DRAM et NAND au monde et a dominé le marché de la mémoire des smartphones tout au long de 2019. Il fabrique des solutions de semi-conducteurs pour ses propres produits ainsi que pour de nombreux clients importants.
La demande de nouvelles technologies de mémoire est susceptible d’augmenter et la société souhaite poursuivre sur sa lancée. Si les rapports s’avèrent exacts, son usine géante P3 à Pyeongtaek pourrait être un élément clé pour l’entreprise pour maintenir son rôle de leader dans le segment.
