Samsung présente à nouveau son développement dans les technologies de fonderie avancées. Lors du Samsung Foundry Forum 2019, qui s’est tenu récemment à Santa Clara en Californie, la société a annoncé que le développement de son processus 3GA (Gate-all-Around, GAA) est en bonne voie. Ce pourrait être l’une des étapes de fabrication les plus importantes depuis de nombreuses années, ce qui accélérera les innovations dans les technologies de nouvelle génération, telles que l’intelligence artificielle ou la conduite autonome.
Comparé à la technologie de traitement à 7nm, le processus 3GA ou le 3GAE réduit la taille de la puce jusqu’à 45%, tout en consommant 50% d’énergie en moins et en augmentant l’efficacité de 35%. Le processus, qui est un FET à ponts multiples (MBCFET), version brevetée de GAA par Samsung, utilise une architecture de nano feuilles empilées verticalement, permettant un courant supérieur par pile par rapport à un processeur en FinFET.
Samsung avait déjà partagé la version 0.1 de son kit de conception de processus (PDK) avec ses clients en avril. Le partage du kit réduira le délai de mise sur le marché et améliora la compétitivité de la conception pour les clients, a déclaré la société. Samsung a également enregistré la conception de sa puce de test et va maintenant se concentrer sur l’amélioration de ses performances et de son efficacité énergétique.
Samsung a également partagé sa feuille de route sur la technologie des processus au forum Samsung Foundry. Il est prévu de commencer la production en série de dispositifs de traitement en 6nm au cours de second semestre de l’année. Le processus en 5nm FinFET, qui a été développé en avril, devrait être achevé d’ici la fin de l’année et la production en série est prévue pour le premier semestre 2020. L’entreprise espère également achever le développement du processus en 4nm d’ici la fin d’année. Aucune date n’a été annoncée pour son nouveau processus en 3nm GAA.