Alors que les Galaxy S9 et S9+ seront officiels dans une semaine, une première information arrive sur le Galaxy S10. On suppose ici que le successeur du Galaxy S9 sera bien nommé Galaxy S10 (avec possiblement un S10+). Mais ce qu’on peut dire avec certitude c’est que ces futurs fleurons de 2019 devraient être encore plus performants que ceux de 2018.
En effet, en considérant une récente annonce faite par Qualcomm, un nouveau rapport suggère que le prochain processeur phare de l’entreprise sera une puce gravée en 7nm. Si c’est exact, le Galaxy S10 devraient en bénéficier en premier, à moins que Samsung ne change ses plans.
Qualcomm a dévoilé le Snapdragon X24 hier, le nouveau modem LTE pour smartphone de l’entreprise qui promet des vitesses de téléchargement théoriques allant jusqu’à 2Gbits/s. Qualcomm indique qu’il s’agit du premier modem LTE de catégorie 20 prenant en charge de telles vitesses et qu’il arrive en tant que premier modem LTE fabriqué sur l’architecture FinFET 7nm.
Depuis, Qualcomm a dit que nous pouvons nous attendre à ce que les premiers appareils commerciaux avec ce modem arrivent sur le marché avant la fin de cette année. Il va sans dire que le X24 ne va pas faire ses débuts sur le Snapdragon 845 qui devrait équiper les Galaxy S9 sur certains marchés comme l’Amérique du nord. Pour rappel, le Snapdragon 845 possède le modem X20 allant jusqu’à 1.2Gbit/s.
Qualcomm n’a pas encore confirmé le procédé de fabrication de son prochain SoC haut de gamme, mais il semble que le profil LinkedIn d’un employé d’entreprise ait révélé que la « dernière puce Snapdragon » est le Snapdragon 855 et qu’elle est en cours de fabrication sur le procédé de gravure FinFET 7nm.
Par conséquent, il est maintenant spéculé que le Snapdragon 855 sera le premier SoC au monde à être fabriqué avec le procédé FinFET 7nm et peut également inclure le nouveau modem X24 en 7nm annoncé hier. En y réfléchissant, cela semble cohérent.
Cependant, il ne faut pas oublier qu’il s’agit d’une pure spéculation basée sur des preuves circonstancielles en ce moment, jusqu’à ce qu’il y ait des informations concrètes, même si les gains en performance et en efficacité qu’apporterait une puce 7nm peuvent laisser rêveur.
Alors que Samsung a fabriqué les récentes puces Snapdragon de Qualcomm sur son procédé 10nm, il a été annoncé l’année dernière que Qualcomm avait demandé à TSMC de fabriquer son chipset haut de gamme de nouvelle génération sur son procédé 7nm.
Le processus 7nm de Samsung a été retardé parce que la société voulait se concentrer davantage sur celui en 10nm. D’un autre côté, TSMC a ignoré le processus 10nm pour se concentrer sur le processus 7nm. Le fondeur a fourni des outils de développement de puces 7nm à ses clients en 2016.
Samsung a récemment révélé qu’il va fournir des outils pour les gravures 8nm et 11nm à ses clients cette année et commencer une production à risque de 7nm. TSMC a commencé la production à risque l’année dernière.
Cependant, certains analystes de l’industrie estiment que le procédé 8nm de Samsung est une « version détendu » de son 7nm en utilisant plusieurs motifs. Cela suggère que la société sera en mesure de fournir des performances similaires avec son 8nm que d’autres fondeurs comme TSMC font avec le procédé 7nm.
Le 7nm de Samsung sera alors probablement supérieur à ses rivaux quand il arrivera finalement. La fabrication se fera sur la technologie de lithographie extrême UV (EUV) pour la fabrication de microprocesseurs que Samsung utilisera pour le 7nm par rapport au procédé optique plus traditionnel utilisé par TSMC.
C’est à cause de cette technologie d’EUV qu’Apple devrait revenir chez Samsung pour ses processeurs A12 en 7nm. TSMC est actuellement le fabriquant exclusif d’Apple depuis la controverse sur le “chipgate” avec Samsung.
